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Segmented InGaAs Photodiodes

Segmented InGaAs Photodiodes

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공통 스펙

Operating Temperature (°C):
-40 to +75
Storage Temperature (°C):
-55 to +125
Responsivity @ 1310nm (A/W):
0.85 minimum / 0.9 typical
Responsivity @ 1550nm (A/W):
0.9 minimum / 0.95 typical
Element Gap (mm):
0.045
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1 Dia. TO-5 #17-077 KRW 413,300 수량 5+ KRW 369,800   견적 요청  
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3 Dia. TO-8 #17-078 KRW 841,000 수량 5+ KRW 746,800   견적 요청  
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Segmented InGaAs Photodiodes는 4개의 개별 요소로 분할된 대형 활성 영역을 특징으로 합니다. 이 포토다이오드를 구성하는 4개의 요소는 반응 균일성이 높고 혼선성이 낮아 정밀 무효화(nulling) 및 센터링 용도에 사용할 수 있습니다. 이 제품은 시간 및 온도 변화에 안정적이며 900 - 1700nm 범위의 반응 구간을 제공하고 특히 1100 - 1620nm에서 우수한 반응성을 보입니다. Segmented InGaAs Photodiodes는 근적외선 스펙트럼에서의 위치 감지, 빔 정렬, 빔 프로파일링 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다. 각 포토다이오드는 처리량 증가를 위해 무반사(AR) 코팅을 입힌 절연된 TO-5 또는 TO-8 캔에 포장 공급됩니다.

Filter

How do I use your silicon detectors?

Amplifiers(증폭기)

Breakdown Voltage (BDV)

Capacitance(정전 용량)

Dark Current(암전류)

Detectivity(검출능)

Fall Time

Noise Equivalent Power (NEP)

Photodiode

Photosensitivity

Photovoltaic Effect

Quantum Efficiency (QE, 양자효율)

Responsivity

RMS Noise

Shunt Resistance

Silicon Detector

Spectral Response

I am trying to get a sample read out from a laser diode on an oscilloscope. I get a good pulse signal if I shine my keychain flashlight on the detector, but a very noisy signal from the diode itself. What could be causing the noise in this system?

cceptance Angle(수광각)

Basic Principles of Silicon Detectors

Silicon Detectors are used to transform light energy into an electrical current. Find out more about the different operation modes and terms at Edmund Optics.

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Dynamic Range

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