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350 - 1100nm Amplified Si Free-Space Photodetector

Free-Space Photodetector Module

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Operating Temperature (°C):
10 - 50
Type:
Amplified Si Photodetector
Rise Time (ns):
10.00
Wavelength Range (nm):
350 - 1100
Dimensions (mm):
58.5 x 62.2 x 36
Active Area (mm2):
13.00 (3.6*3.6mm)
Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz1/2):
1.2x10^-14
Bandwidth (Hz):
DC-12*10^6 (DC-12 MHz)
Power Supply:
#29-519

Regulatory Compliance

RoHS:
Certificate of Conformance:

제품군의 상세 설명

  • 시스템과 쉽게 통합 가능한 컴팩트한 설계 적용
  • 200 - 1700nm 파장 대역을 커버하는 Si(실리콘)/InGaAs(갈륨 인듐 비소) 광검출기(photodetector)
  • Biased/Amplified 모델 보유

해당 제품은 VIS/NIR/SWIR 스펙트럼(200 - 1700nm 파장 대역)을 커버하는 Si(실리콘) 다이오드 / 고속 InGaAs(갈륨 인듐 비소) 다이오드가 특징으로 Biased/Amplified 모델을 보유하고 있습니다. 또한, 펄스 레이저를 즉시 감지할 수 있는 빠른 상승 시간(rise time)과 대역폭을 제공하며, Si 제품은 1ns의 상승 시간과 최대 350MHz의 대역폭을, InGaAs 제품은 350ps의 상승 시간과 5GHz의 대역폭을 제공합니다. Amplified Si 모델은 10 - 35ns의 상승 시간, 내장된 고정 게인(gain), 노이즈가 적은 트랜스 임피던스 증폭기를 제공하므로 출력이 약한 광원이나 저출력 광원을 fW 단위까지 측정할 수 있습니다. 해당 제품은 공간 제약이 있는 시스템에 쉽게 결합할 수 있는 컴팩트한 설계가 적용되었으며, 포스트 마운팅을 위한 M4 마운팅 스레드와 필터 및 렌즈 통합을 위한 1" 직경의 탈착식 광학 마운트가 있습니다. 또한, 고속 펄스 레이저, 변조된 CW 광원, LIDAR처럼 자유 공간 광학 감지가 필요한 어플리케이션을 모니터링하는 데 적합합니다.

참고: Biased Si 모델 및 InGaAs 모델은 12V 배터리로 전원을 공급할 수 있습니다. Amplified Si 모델은 ±12VDC 전원 공급 장치(#29-519, 별도 판매)가 필요합니다. 고속 신호를 측정할 경우 50Ω 종단 저항기를 사용하는 걸 권장합니다.

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12V Power Supply for Amplified Photodetectors #29-519 신제품 KRW 116,000   견적 요청
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1.5m Length, BNC to BNC Cable #72-130 신제품 KRW 36,300   견적 요청
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50Ω Fixed Male-to-Female BNC Terminator #72-132 신제품 KRW 46,400   견적 요청
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