Operating Temperature (°C):

-20 to +60

Size of Active Area (mm):

2.4 x 2.4

Storage Temperature (°C):

-55 to +80

Rise Time (μs):

0.2 @ 0 V, 1 kΩ

Responsivity @ 980nm (A/W):

0.5

Shunt Resistance @ V=-10mV (GΩ):

Minimum: 0.3
Typical: 1

Responsivity @ 633nm (A/W):

0.34

Responsivity @ 200nm (A/W):

0.12

Capacitance @ V_R=0V (pF):

65.00

Active Area (mm²):

5.7

Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz^1/2):

3.6 x 10^-14 @ 0 V, 200nm

Maximum Reverse Voltage (V):

5.00

Connector:

TO-5

Peak Response Wavelength (nm):

980.00

Regulatory Compliance

RoHS:

Compliant

Certificate of Conformance:

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제품군의 상세 설명

탁월한 UV Sensitivity
높은 Shunt Resistance
낮은 Capacitance (정전 용량)

DUV Photodiode는 UV spectrophotometry, 그리고 분석 및 의료 장비를 포함한 광범위한 용도에 아주 적합합니다. DUV Photodiode는 200 – 400nm 범위에서의 반응성 개선, 그리고 190nm까지의 sensitivity 확장을 위해 설계되었습니다. DUV Photodiode는 quartz window와 금속 또는 세라믹 하우징을 특징으로 합니다. NIR 성능을 줄인 모델도 이용이 가능합니다.

5.7mm2 DUV Photodiode (Metal Housing 포함)

Regulatory Compliance

제품군의 상세 설명

5.7mm² DUV Photodiode (Metal Housing 포함)